SemiQ анонсировала доступность силовых устройств четвертого поколения на основе карбида кремния (SiC). В линейку вошли бескорпусные кристаллы и МОП-транзисторы (MOSFET) с напряжением 1200 и 750 В.
Технология Gen4 от SemiQ включает оптимизированную топологию ячейки с уменьшением шага ячейки на 36%, а также оптимизированную имплантацию JFET и P-well. Эти улучшения позволяют снизить удельное сопротивление в открытом состоянии (Ron(sp)) на 23% по сравнению с предыдущими поколениями, повысить токовую нагрузку, уменьшить потери проводимости, улучшить плотность мощности и повысить общую эффективность системы.
Ключевые характеристики:
Другие материалы
Силовые модули CXT-PLA3SA от CISSOID для применения в аэрокосмической отрасли Аналоги серии HMC от Analog Device Российские микросхемы — на массовый рынок
- снижение RDS(on) для устройств на 1200 В на 21% по сравнению с устройствами третьего поколения (11 Ом против 14 Ом);
- уменьшение общей энергии переключения более чем на 11% (1491 мДж против 1677 мДж) при сохранении размера кристалла 5 × 5 мм;
- МОП-транзисторы на 750 В с RDS(on) 9 мОм и общей энергией переключения 871 мкДж;
- прохождение скрининга на уровне пластины при напряжениях, превышающих 1400 и 800 В соответственно;
- тестирование на устойчивость к лавинному пробою на уровне 800 мДж.
Устройства доступны в корпусе TO-247-4L с четырьмя выводами и в виде бескорпусного кристалла. SemiQ ориентирует устройства на высокомощные приложения, включая инфраструктуру зарядки электромобилей, высоковольтные DC/DC и DC/AC-преобразователи, солнечные инверторы, импульсные источники питания (SMPS), источники бесперебойного питания (UPS), индукционный нагрев, сварку и приводы двигателей.
Источник: Semiconductor Today
Источник: kit-e.ru